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BC850CLT1G中文资料

BC850CLT1G图片

BC850CLT1G外观图

  • 大小：96.05KB
  • 厂家：ONSEMI [ON Semiconductor]
  • 描述：General Purpose Transistors(NPN Silicon)
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：45V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：420 @ 2mA，5V
  • 功率 - 最大：225mW
  • 频率 - 转换：100MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：BC850CLT1GOSTR

BC850CLT1G供应商

更新时间:2023-01-29 10:16:34
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